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瞬時功率測量

使用多端口光功率計進行瞬時功率測量：通過測量光功率電平變化以確定光纖切換時間，從而觀察光纖移動或網絡重新配置所帶來的瞬時波動，這已經超出了大多數光功率計的設計功能。這些傳統光功率計通常僅用于對光功率電平 (常數或與其他儀器同步變化) 進行校準測量..

2022-01-18

光學測量儀器分類

光學測量的被測件進行分類，主要分為3類：有源器件，無源器件，高速通信。有源器件主要有：調制器，發送器，接收機，放大器，MUX/DEMUX，光電和電光轉換器，以及激光源。無源器件主要...

2022-01-18

在半導體領域的重要性

在半導體領域，“大數據分析”作為新的增長市場而備受期待。這是因為進行大數據分析時，除了微處理器之外，還需要高速且容量大的新型存儲器。在《日經電子》主辦的研討會上，大學教授竹內健談到了這一點

2022-01-18

材料問題

電子組件進入納米等級后，在材料方面也開始遭遇到一些瓶頸，因為原來使用的材料性能已不能滿足要求。簡單的一個例子，是所謂的閘極介電層材料；這層材料的基本要求是要能絕緣，不讓電流通過。使用的是由硅基材氧化而成的二氧化硅，在一般狀況下這是一個非常好的絕緣材料。

2022-01-18

蝕刻

另外一項重要的單元制程是蝕刻，這有點像是柏油路面的刨土機或鉆孔機，把不要的薄層部分或挖一個深洞。只是在半導體制程中，通常是用化學反應加上的電漿，而不是用機械的方式。在未來的納米蝕刻技術中，有一項深度對寬度的比值需求是相當于要挖一口 100 公尺的深井，挖完之后再用三種不同的材料填滿深井，可是每一層材料的厚度只有 10 層原子或分子左右。這也是技術上的一大挑戰。

2022-01-18

在所有的制程中，關鍵的莫過于微影技術。這個技術像照相的曝光顯影，要把 IC 工程師設計好的藍圖，忠實地制作在芯片上，需要利用曝光顯影的技術。在現今的納米制程上，不只要求曝光顯影出來的圖形是幾十納米的大小，還要上下層結構在 30 公分直徑的晶圓上，對準的準確度在幾納米之內。這樣的程度相當于在中國大陸的面積上，每次都能找到一顆玻璃彈珠。因此這個設備與制程在半導體工廠里是復雜、也是昂貴的。半導體技術進入納米時代后，除了水平方向尺寸的微縮造成對微影技術的嚴苛要求外，在垂直方向的要求也同樣地嚴格。一些薄膜的厚度都是 1 ~ 2 納米，而且在整片上的誤差小于 5%。這相當于在100個足球場的面積上要很均勻地鋪上一層約1公分厚的泥土，而且誤差要控制在 0.05 公分的范圍內。

2022-01-18

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光學測量儀器分類

在半導體領域的重要性

材料問題

蝕刻

曝光顯影